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情況

晶圓表面制絨是提高太陽能電池電力輸出的最重要製程之一。濕式化學制絨是目前廣為採用的標準製程。但是這種化學處理方式卻會造成如黑點及黑線等顯而易見的雜質。TEX-Q 可準確檢測出晶圓制絨表面上的所有污染及瑕疵。另外,還可檢查絨面品質及表面反射率。所有晶圓瑕疵或其他偏離分類臨界值的情況都能可靠地被挑揀出來。

原理

    • 光學檢驗系統
    • 行進中 (On-the-fly) 測量

    優點

      • 產量高達每小時 3600 片晶圓,控制率達到 100%
      • 顯示長期製程趨勢
      • 集中配方管理及流程可「完全複製」
      • 簡單快速的校準選項
      • 持續不斷的校準控制
      • 最佳化影像分析
      • 支援中文

      技術資料

      主題

      說明

      待測量的樣本

      多晶硅片和电池片
      类单晶硅片和电池片
      正方形或準方形
      鹼或酸制絨

      晶圓尺寸

      156mm

      相機機型

      2K / Linescan

      瑕疵解析度

      80 微米

      可測量的特徵

      表面反射率、反射率差異、晶圓邊緣的反射率個別處理、蝕刻坑

      最高輸送速度

      400 毫米/秒

      最短週期時間

      1 秒

      機器介面 (自動化)

      序列式
      並列式 I/O
      並列式 I/O (搭配晶圓條碼識別資訊專用的序列式)
      通過現場總線(Profibus)接收資料區塊(Datablock)              
      通過乙太網路 (Ethernet) 接收資料區塊(Datablock)

      資料介面 (工廠網路或自動化)

      XML via TCP/IP
      SECS-II/GEM (SEMI PV02)

      附註:此處所有的技術資料可能有所變更,恕不另行通知。僅會在報價單中附上技術規格說明。