Situation

Dreidimensionale Defekte auf der Oberfläche von Wafer oder Zelle können zu Problemen im Prozess führen oder sogar Brüche verursachen. Sägeriefen auf dem rohen Wafer deuten auf Schwachstellen im Sägeprozess hin und mindern die Qualität der Wafer. Ein fehlerhaftes Temperaturprofil beim Feuern einer Zellrückseite kann zur Bildung von Metallperlen führen und Brüche verursachen, wenn die Zellen für den Transport vorbereitet werden.

Prinzip

  • Berührungslose Messungen “on-the-fly”
  • Spezielle Beleuchtung und optisches Erfassungsmuster
  • Visualisierung und Klassierung der 3D Defekte

Vorteile

  • Vollflächige Erkennung von Sägeriefen bei hohen Durchsatz
  • Einfache Montage auf Transportsystem
  • Vertikale Erkennungsgrenze < 5 Mikrometer
  • Optimierte Bildanalyse
  • Chinesische Benutzeroberfläche optional
  • Zentrales Rezeptmanagement und „Copy exact“-Verfahren
  • Einfache und schnelle Kalibriermöglichkeit

Technische Daten

Thema

Beschreibung

Messproben

Monokristalline Wafer
Multikristalline Wafer
Cast-Mono Wafer

Prozessierte Zellrückseiten

Quadratisch oder Pseudoquadratisch

Wafergröße

156 mm

Kameramodell

1 M Matrix

Kameraauflösung

Vertikal: 160 µm

Horizontal: 4 µm

Messfunktionen

3D Topographie von Wafern, Klassierung nach Unebenheiten und Sägeriefen gemäß DIN EN 50513

Maximale Bandgeschwindigkeit

400 mm/s

Minimale Taktzeit

1 s

Maschinenschnittstelle
(horizontale Kommunikation)

Serial
Parallel I/o
Parellel I/O combined for Serial for WaferID info)
Datablock via Profibus
Datablock via Ethernet

Datenschnittstelle
(vertikale Kommunikation)

XML via TCP/IP
SECS-II/GEM (SEMI PV02)

Hinweis: Alle technischen Details können sich ohne Vorankündigung ändern. Nur die technischen Spezifikationen im Angebot sind verbindlich.

Benutzeroberfläche

Der GP TOPO-D .Scan entdeckt zuverlässig dreidimensionale Defekte, wie Sägeriefen, Unebenheiten und Aluminiumperlen, die beim Feuerprozess der Rückseiten auftreten können. Alle Defekte werden über die GP Software ausgewertet und dargestellt.