Situation
Während der Prozessierung von Wafern für die Herstellung von Solarzellen stellt man die Weichen für eine hervorragende Leistung und Performance der späteren Erzeugnisse. Durch das Zusägen der Wafer entstehen Abweichungen bei der Waferdicke, der Gesamtdickenstreuung (TTV) sowie auch der Oberflächenmorphologie (Warp/Bow) und dem spezifische Widerstand. Damit wird die Kontrolle all dieser Faktoren und die Klassifizierung der Wafer zu einem unerlässlichen Bestandteil der Qualitätssicherung. Der WAF INSP TTV vereint solide die Widerstands- und Dickenmessung in einem System.
Prinzip
- Kapazitive berührungslose Dickenmessung
- Wirbelstrombasierte Widerstandsmessung
Vorteile
- Einfache Integration
- Kein zusätzliches Handling notwendig
- 100% Kontrollrate
- Durchlauf bis zu 3600 Wafer pro Stunde
- Verschiedene Ausführungen (je nach Automatisierungsanforderung)
Technische Daten
Thema |
Beschreibung |
Messproben |
- Mono- und Multikristalline Wafer - Square oder Pseudo Square - As-cut, texturiert oder nicht-texturierte Oberfläche |
Wafergröße |
125 … 210 mm |
Messfleck |
ca. 20 mm Durchmesser |
Messgrößen und Messbereiche |
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Waferdicke |
100 … 500 µm |
TTV |
5… 500 µm |
Spezifischer Widerstand |
0.1 … 15 Ohm cm oder 0.3 … 25 Ohm cm |
Bow |
> 300 µm |
Interfaces |
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Maschinenschnittstelle |
Parallel I/O |
Datenschnittstelle |
OPC (Server) |
Hinweis: Alle technischen Details können sich ohne Vorankündigung ändern. Nur die technischen Spezifikationen im Angebot sind verbindlich.