Situation
Für eine schnelle Klassifizierung von Solarzellen in verschiedene Leistungs- und Qualitätsklassen ist oft die Messung eines bestimmten Wertes ausreichend. Um die Ursache eines konkreten Problems zu definieren, helfen detaillierte Informationen über das Verhalten eines gemessenen Parameters. Das WAF SCAN System misst gewissenhaft und präzise die Überschuss-ladungsträgerlebensdauer, den Emitterschichtwiderstand und die Diffusionslänge der Ladungsträger in Solarzellen. So lassen sich Erkenntnisse gewinnen, die dabei helfen, den Gesamtprozess zuverlässig zu überwachen.
Prinzip
- Gehäuse mit beweglicher Messplatte und beweglichem Sensorkopf
- Basiseinheit mit Scan- und Anpassungsmöglichkeiten mit Systemcontroller
Vorteil
- Scansystem für die manuelle Waferbeladung bis 156 mm Wafer
Technische Daten
Thema |
Beschreibung |
Messproben |
- Mono- und multikristalline Wafer - Bis zu 210 mm Kantenlänge Lebenszeit: jede Art von Silizium – die Auswertung der LBIC: fertige Solarzellen |
Messbereich und Genauigkeit |
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Räumliche Auflösung (Abbildung) |
0.5 mm, 1 mm, 2 mm, 4 mm, 8 mm, 16 mm |
Messzeit |
Einzelner Punkt ~ 0.3…1.0 Sekunden, Ganze Abbildung 2 Minuten bis zu 24 Stunden (abhängig von |
Messmodi und Messbereiche |
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Lebensdauer |
Mikrowellendetektierter Leitfähigkeitszerfall (MW-PCD), Laser mit 904 nm Wellenlänge (Pulsbreite 200 ns), Messfrequenz 10 GHz |
Messbereich |
0.1 µs – 30 ms |
LBIC |
Spektrale Light-Beam induced current (LBIC) Messung bei Wellenlängen von ca. 400 nm/650 nm, 880, 950, 980 nm, parallele Messung der Reflexion je Wellenlänge Bestimmung der Diffusionslänge aus inverser IQE |
Rspec |
Messung mittels Wirbelstromsensor Messbereich 0.1…25 Ωcm bzw. 0.1 … 12 Ωcm (für eine Dicke <200 µm) |
Rsheet |
Messung mittels Surface Photovoltage sensor Messbereich 10…200 Ohms/sqr |
Hinweis: Alle technischen Details können sich ohne Vorankündigung ändern. Nur die technischen Spezifikationen im Angebot sind verbindlich.