Die elektronische Qualität der Siliziumwafer beeinflusst stark die elektrische Leistung der späteren Solarzelle. Ihr Leistungspotenzial hängt von der Ladungsträgerlebensdauer ab. Diese wird durch den spezifischen Widerstand des Materials und auch durch seine Verunreinigung, welche durch hohe Prozesstemperaturen entstehen, charakterisiert. Wenn auf diesem Weg Verunreinigungen in das Material gelangen, verringert sich die Leerlaufspannung der produzierten Solarzelle. Mit dem IN-LIFE bestimmt man auf verlässliche Weise die Lebensdauer der Ladungsträger in Siliziumwafern.
Prinzip
- Kontaktlose Messung „on the fly“ (Durchlauf) oder Stop Messung
Vorteile
- Steigert die Energieeffizienz der Produktionslinie
- 100% Kontrollrate bei Durchlaufzeiten von 1 Sekunde und weniger
- Mehr als 3600 Wafer pro Stunde
- Kein zusätzliches Handling
- Bedienerfreundliche Software
Technische Daten
Thema |
Beschreibung |
Messproben |
- Mono- und multikristalline Wafer - Square oder Pseudo Square - As-cut, texturierte oder nicht texturierte Oberfläche - Mit oder ohne diffundierte Schichten (n+p oder p+n) |
Wafergröße |
125 … 210 mm |
Messbereich |
0.1 … 1000 µs |
Messfleck |
ca. 10 mm Durchmesser |
Maschinenschnittstelle |
- Parallel I/O - Kombinierter Parallel I/O und RS232 für WaferID Info - Profibus |
Datenschnittstelle (zum Firmennetzwerk oder zur Automatisierung) |
- OPC (Server) - XML via TCP/IP |
Hinweis: Alle technischen Details können sich ohne Vorankündigung ändern. Nur die technischen Spezifikationen im Angebot sind verbindlich.