GP TEX-Q .Scan
Optisches Inline Inspektionssystem zur Bestimmung der Texturqualität, der Reflexion und zur Vermessung von Kontaminationen
Übersicht

Situation

Einer der wichtigsten Prozesse zur Steigerung der elektrischen Leistung einer Solarzelle ist die Texturierung der Waferoberfläche. Dass hierfür nasschemische Prozesse eingesetzt werden, ist inzwischen üblich. Jedoch entstehen durch diese chemischen Verfahren sichtbare Verschmutzungen wie dunkle Flecken und Linien. Der GP TEX-Q .Scan erkennt präzise alle Kontaminationen und Fehlerstellen auf der texturierten Waferoberfläche. Außerdem prüft er die Texturqualität und die Oberflächenreflexion. Wafer mit Defekten oder anderen Abweichungen von den Klassifikationsgrenzwerten werden verlässlich aussortiert.

Prinzip

  • Optisches Inspektionssystem
  • "On-the-fly" Messung

Vorteile

  • Durchlauf von 3600 Wafern/h bei einer 100%-igen Kontrollrate
  • Zeigt Langzeitdrifts im Prozess
  • Zentrales Rezeptmanagement und „Copy exact“-Verfahren
  • Einfache und schnelle Kalibriermöglichkeit
  • Permanente Kalibrierkontrolle

Technische Daten

Thema

Beschreibung

Messproben

- As-cut mono- und multikristalline Wafer

- Quadratisch oder Pseudoquadratisch

- alkalische oder saure Texturierung

Wafergröße

100 … 156 mm

Kameramodell

2K  / Linescan

Defektauflösung

80 µm

Messdaten

Oberflächenreflektion, Reflektionsabweichung, gesonderte Betrachtung der Reflektion an Waferecken, Ätzgrübchen

Maximale Transportband-geschwindigkeit

400 mm/s

Minimale Zykluszeit

1 s

Maschinenanschluss (zur Automatisierung)

- Parallel I/O

- Parallel I/O (kombiniert mit RS232 für WaferID)

- Profibus

Datenschnittstelle (zum Firmennetzwerk oder zur Automatisierung)

XML via TCP/IP

Hinweis: Alle technischen Details können sich ohne Vorankündigung ändern. Nur die technischen Spezifikationen im Angebot sind verbindlich.